具有松弛的薄膜层结构及其制造方法,申请号TW092112105-传众专利搜索

发明名称	具有松弛的薄膜层结构及其制造方法
摘要	本发明提出一种具有松弛的薄膜层结构的制造方法，首先提供一绝缘层上有矽层(SOI)之基底。其次，对上述基底施行一离子植入程序以在上述矽层内形成一缺陷区。最后，于上述矽层上成长一松弛的薄膜层。本发明另提出一种具有松弛的薄膜层结构，包括：一绝缘层上有矽层SOI)之基底；一缺陷区，其系藉由对上述基底施行一离子植入程序而形成于上述矽层内；以及一松弛的薄膜层，形成于上述矽层上。
申请公布号	TWI317145	申请公布日期	2009.11.11
申请号	TW092112105	申请日期	2003.05.02
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	发明人	林俊杰;杨育佳;黄健朝;王昭雄;胡正明;张添智
分类号	H01L21/20;H01L21/76	主分类号	H01L21/20
代理机构		代理人	洪澄文;颜锦顺
主权项	一种具有松弛的薄膜层结构之制造方法，包括下列步骤：提供一绝缘层上有矽层(SOI)之基底；对该基底施行一离子植入程序以在该矽层内形成一缺陷区；以及于该矽层上成长一松弛的薄膜层。
地址	新竹市新竹科学工业园区园区三路121号