| 发明名称 | 半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该结构包括一半导体衬底，一平面晶体管，位于半导体衬底的第一部分，其中半导体衬底的第一部分具有第一上表面。一多栅晶体管，位于半导体衬底的第二部分。半导体衬底的第二部分从第一上表面凹入，以形成多栅晶体管的鳍状物，且鳍状物借助一绝缘物与半导体衬底电性隔离。本发明降低了鳍式场效应晶体管的击穿电流、改善了鳍式场效应晶体管的载流子迁移率、以及降低了制作成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101577278A | 申请公布日期 | 2009.11.11 |
| 申请号 | CN200810175129.0 | 申请日期 | 2008.10.30 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 张正宏;余振华;叶震南 |
| 分类号 | H01L27/085(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L21/8232(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/085(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈 晨;张浴月 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，包括：一半导体衬底；一平面晶体管，位于该半导体衬底的第一部分，其中该半导体衬底的第一部分具有第一上表面；以及一多栅晶体管，位于该半导体衬底的第二部分，其中该半导体衬底的第二部分从该第一上表面凹入，以形成该多栅晶体管的鳍状物，且该鳍状物借助一绝缘物与该半导体衬底电性隔离。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||