发明名称 |
微机械热电堆红外探测器 |
摘要 |
本发明涉及红外探测器领域,具体是一种微机械热电堆红外探测器。简化了制作工艺,提高了性能、成品率,制作步骤:①用LPCVD法在硅衬底双面淀积氮化硅薄膜;②光刻、刻蚀掉硅衬底正面的外围氮化硅薄膜;③用LPCVD法、光刻工艺制作若干两端分别位于氮化硅薄膜和硅衬底上的多晶硅条;④用溅射、光刻工艺制作若干同多晶硅条构成热电偶的铝条;⑤用PECVD法在硅衬底正面上淀积氧化硅薄膜;⑥用光刻工艺制作覆盖热电堆热结区的红外吸收层-碳化的光刻胶层;⑦用剥离工艺制作覆盖热电堆冷结区的金属反射层-金层;⑧将硅衬底背面腐蚀形成正四棱台状凹槽。本发明结构设计合理,制作工艺简单,探测器性能高,成品率高,易于实现,发展前景良好。 |
申请公布号 |
CN101575083A |
申请公布日期 |
2009.11.11 |
申请号 |
CN200910074776.7 |
申请日期 |
2009.06.15 |
申请人 |
中北大学 |
发明人 |
薛晨阳;梁庭;张文栋;刘俊;熊继军;石云波;王楷群 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;G01J5/12(2006.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
山西太原科卫专利事务所 |
代理人 |
朱 源;骆 洋 |
主权项 |
1、一种微机械热电堆红外探测器,其特征在于按照如下方法制得的:①、在940℃温度条件下,调节反应气源的流量大小,用LPCVD法在双面抛光的p型高阻硅衬底(1)的正面和背面分别淀积出低应力的氮化硅薄膜(2、3),无需经过高温退火;②、利用光刻、刻蚀工艺去掉硅衬底(1)正面的外围氮化硅薄膜,保留中央区域的氮化硅薄膜(2);③、用LPCVD法在硅衬底(1)正面中央区域氮化硅薄膜(2)表面及外围硅衬底表面沉积多晶硅层,然后利用光刻、干法刻蚀工艺形成若干一端位于氮化硅薄膜(2)上、另一端位于硅衬底(1)上的多晶硅条(4);④、在硅衬底(1)正面中央区域氮化硅薄膜(1)表面及外围硅衬底表面溅射一层铝,然后利用光刻工艺形成若干同多晶硅条(4)处于同一平面、并分别一一对应与各多晶硅条(4)构成热电偶的铝条(5),以及使各热电偶串联形成热电堆的铝条(6)和实现热电堆输出的引线脚(7);热电堆的热结区(12)位于硅衬底(1)中央区域的氮化硅薄膜(2)上,冷结区(13)位于硅衬底(1)上;⑤、用PECVD法在硅衬底(1)正面上淀积覆盖热电堆的氧化硅薄膜(8);⑥、利用光刻工艺在步骤⑤所述氧化硅薄膜(8)的中央区域将光刻胶经过曝光、显影形成吸收层图形,然后在高温条件下将光刻胶碳化,形成覆盖热电堆热结区(12)的红外吸收层(9);⑦、在步骤⑤所述氧化硅薄膜(8)上红外吸收层(9)的外围采用剥离工艺制作出覆盖热电堆冷结区(13)的作为金属反射层(10)的金层;⑧、利用湿法腐蚀工艺对硅衬底(1)背面进行腐蚀,腐蚀形成以硅衬底(1)正面中央区域氮化硅薄膜(2)为槽底的正四棱台状凹槽(11)。 |
地址 |
030051山西省太原市尖草坪区学院路3号 |