发明名称 掉电检测电路
摘要 本实用新型公开一种掉电检测电路,其特征在于包括PMOS管、NMOS管和施密特缓冲器,所述PMOS管的栅极接地、源级接电源,所述NMOS管的栅极接电源、源级接地,所述PMOS管的漏极接NMOS管的漏极形成一节点,所述节点与施密特缓冲器的输入端连接,施密特缓冲器的输出端输出掉电检测信号。本实用新型的掉电检测电路采用MOS管代替传统电路中的电阻,利用施密特缓冲器代替传统的比较器结构,电路结构简单,电路面积小,不仅成本低、可靠性高、控制简单、性能好,还降低了电路的功耗,且具有较强的抗干扰能力。
申请公布号 CN201344951Y 申请公布日期 2009.11.11
申请号 CN200820183465.5 申请日期 2008.12.19
申请人 苏州市华芯微电子有限公司 发明人 江猛;谢卫国;杜坦
分类号 G01R19/165(2006.01)I 主分类号 G01R19/165(2006.01)I
代理机构 北京华夏博通专利事务所 代理人 安纪平
主权项 1.一种掉电检测电路,其特征在于包括PMOS管、NMOS管和施密特缓冲器,所述PMOS管的栅极接地、源级接电源,所述NMOS管的栅极接电源、源级接地,所述PMOS管的漏极接NMOS管的漏极形成一节点,所述节点与施密特缓冲器的输入端连接,施密特缓冲器的输出端输出掉电检测信号。
地址 215011江苏省苏州市新区滨河路625号A座3楼