发明名称 |
掉电检测电路 |
摘要 |
本实用新型公开一种掉电检测电路,其特征在于包括PMOS管、NMOS管和施密特缓冲器,所述PMOS管的栅极接地、源级接电源,所述NMOS管的栅极接电源、源级接地,所述PMOS管的漏极接NMOS管的漏极形成一节点,所述节点与施密特缓冲器的输入端连接,施密特缓冲器的输出端输出掉电检测信号。本实用新型的掉电检测电路采用MOS管代替传统电路中的电阻,利用施密特缓冲器代替传统的比较器结构,电路结构简单,电路面积小,不仅成本低、可靠性高、控制简单、性能好,还降低了电路的功耗,且具有较强的抗干扰能力。 |
申请公布号 |
CN201344951Y |
申请公布日期 |
2009.11.11 |
申请号 |
CN200820183465.5 |
申请日期 |
2008.12.19 |
申请人 |
苏州市华芯微电子有限公司 |
发明人 |
江猛;谢卫国;杜坦 |
分类号 |
G01R19/165(2006.01)I |
主分类号 |
G01R19/165(2006.01)I |
代理机构 |
北京华夏博通专利事务所 |
代理人 |
安纪平 |
主权项 |
1.一种掉电检测电路,其特征在于包括PMOS管、NMOS管和施密特缓冲器,所述PMOS管的栅极接地、源级接电源,所述NMOS管的栅极接电源、源级接地,所述PMOS管的漏极接NMOS管的漏极形成一节点,所述节点与施密特缓冲器的输入端连接,施密特缓冲器的输出端输出掉电检测信号。 |
地址 |
215011江苏省苏州市新区滨河路625号A座3楼 |