| 发明名称 | 制造半导体元件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于制造半导体元件，特别是有关于使用一真空腔体来制造半导体元件。用于半导体制造的方法包含：提供一光阻层于一晶圆上；使用一真空腔体从光阻层上移除溶剂残渣物；以及对此晶圆进行曝光。 | ||
| 申请公布号 | CN100559275C | 申请公布日期 | 2009.11.11 |
| 申请号 | CN200610057843.0 | 申请日期 | 2006.03.01 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 施仁杰 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;G03F7/40(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿 宁;张华辉 |
| 主权项 | 1、一种制造半导体的方法，其特征在于其包括以下步骤：形成一光阻层于一晶圆上；在一真空腔体外对该光阻层进行一软烤制程；将完成软烤制程后的该晶圆放置于该真空腔体中；使用该真空腔体从该光阻层移除溶剂残渣物；以及曝光该晶圆。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号 | ||