<p>Es wird ein Leuchtdiodenchip (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) beschrieben, die von Kontakten (5) über eine Stromaufweitungsschicht (3) elektrisch kontaktiert wird. Die Kontakte (5) bedecken zirka 1 % - 8 % der Fläche der Halbleiterschichtenfolge (2). Die Kontakte (5) bestehen beispielsweise aus separaten Kontaktpunkten (51), die an den Knotenpunkten eines regelmäßigen Gitters (52) mit einer Gitterkonstante von 12 µm angeordnet sind. Die Stromaufweitungsschicht (3) enthält beispielsweise Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid oder Zinkoxid und weist eine Dicke im Bereich von 15 nm bis 60 nm auf.</p>
申请公布号
WO2009132641(A1)
申请公布日期
2009.11.05
申请号
WO2009DE00629
申请日期
2009.04.28
申请人
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH;SABATHIL, MATTHIAS;HOEPPEL, LUTZ;WEIMAR, ANDREAS;ENGL, KARL;BAUR, JOHANNES
发明人
SABATHIL, MATTHIAS;HOEPPEL, LUTZ;WEIMAR, ANDREAS;ENGL, KARL;BAUR, JOHANNES