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Es werden ein Bildsensor und ein Verfahren zu dessen Herstellung bereitgestellt. Der Bildsensor kann ein Gate, einen Kanal-Bereich, einen ersten p-Typ-dotierten Bereich, einen zweiten p-Typ-dotierten Bereich, einen n-Typ-dotierten Bereich und einen Floating-Diffusions-Bereich enthalten. Das Gate kann auf einem Halbleitersubstrat angeordnet sein, und der Kanal-Bereich kann im Halbleitersubstrat unter dem Gate angeordnet sein. Der erste p-Typ-dotierte Bereich kann an einer Seite des Gates angeordnet sein und kann zum Kanal-Bereich benachbart sein. Der zweite p-Typ-dotierte Bereich kann unter dem ersten p-Typ-dotierten Bereich und entfernt vom Gate angeordnet sein. Der n-Typ-dotierte Bereich kann unter dem ersten und dem zweiten p-Typ-dotierten Bereich angeordnet sein, und der Floating-Diffusions-Bereich kann an einer anderen Seite des Gates angeordnet sein.
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