| 发明名称 |
Procédé de fabrication des diodes doubles au silicium |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
FR1197171(A) |
申请公布日期 |
1959.11.27 |
| 申请号 |
FRD1197171 |
申请日期 |
1958.05.28 |
| 申请人 |
SOCIETE ANONYME DE TELECOMMUNICATIONS |
发明人 |
DESCHAMPS RENE |
| 分类号 |
H01L21/00;H01L21/288;H01L29/00 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
