Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung desselben

摘要

Es werden ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper und ein Verfahren zur Herstellung desselben angegeben. Der Halbleiterkörper weist Driftzonen aus epitaktisch gewachsenem Halbleitermaterial mit einem ersten Leitungstyp auf. Ferner weist der Halbleiterkörper Ladungskompensationszonen mit einem zum ersten Leitungstyp komplementären zweiten Leitungstyp auf, die lateral benachbart zu den Driftzonen angeordnet sind. Die Ladungskompensationszonen weisen eine lateral begrenzte Ladungskompensationszonendotierung auf, die in das epitaktisch gewachsene Halbleitermaterial eingebracht ist. Das epitaktisch gewachsene Halbleitermaterial weist 20 Atom-% bis 80 Atom-% des Dotierstoffes der Driftzonen und einen über Ionenimplantation und Diffusion eingebauten Dotierstoffrest zwischen 80 Atom-% und 20 Atom-% auf.