| 发明名称 | 闪速存储器及相关方法 | ||
| 摘要 | 在一种操作方法中，闪速存储器单元经过编程，字线电压与闪速存储器单元耦合，以及在若干间隔上感测闪速存储器单元的状态，以便生成指明闪速存储器单元的状态的数据。在一种操作方法中，切断NAND闪速存储器的高速缓冲存储器中的锁存器，并且在锁存器被切断的同时来对锁存器进行初始化。读取电压与NAND闪速存储器中的所选闪速存储器单元的栅极耦合，其中所选闪速存储器单元与位线耦合，以及在位线上的电压改变的同时位线与锁存器的输入端耦合。 | ||
| 申请公布号 | CN101573762A | 申请公布日期 | 2009.11.04 |
| 申请号 | CN200780048999.5 | 申请日期 | 2007.12.21 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | D·埃尔姆赫尔斯特;G·桑廷;M·因卡纳蒂;V·莫夏诺;E·多里奥 |
| 分类号 | G11C16/02(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 朱海煜;徐予红 |
| 主权项 | 1.一种方法，包括：对闪速存储器单元编程；将字线电压与所述闪速存储器单元耦合；以及在多个间隔上感测所述闪速存储器单元的状态，以便生成指明所述闪速存储器单元的状态的多个数据。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||