| 发明名称 | 提高栅极侧壁氧化层厚度一致性的方法及栅极的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种提高栅极侧壁氧化层厚度一致性的方法，提供半导体衬底，在所述半导体衬底上具有包含多晶硅层的栅极，在所述多晶硅层中掺有杂质离子；对所述栅极执行原位水蒸气产生氧化工艺，在所述栅极侧壁形成氧化层；其中，所述的原位水蒸气产生氧化工艺中的温度为800至1500℃。本发明还提供一种栅极的制造方法。本发明能够提高栅极侧壁的氧化层的厚度一致性，且工艺较为简单。 | ||
| 申请公布号 | CN101572230A | 申请公布日期 | 2009.11.04 |
| 申请号 | CN200810105623.X | 申请日期 | 2008.04.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 魏莹璐;居建华 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 丽 |
| 主权项 | 1、一种提高栅极侧壁氧化层厚度一致性的方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上具有包含多晶硅层的栅极，在所述多晶硅层中掺有杂质离子；对所述栅极执行原位水蒸气产生氧化工艺，在所述栅极侧壁形成氧化层；其中，所述的原位水蒸气产生氧化工艺中的温度为800至1500℃。 | ||
| 地址 | 100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 | ||