| 发明名称 | 制造互连结构的方法 | ||
| 摘要 | 描述了采用铜填充工艺来填充沟槽(12)的镶嵌工艺。铜填充(20)开始于包括铜和钛的沉积种子层(52)。在铜填充工艺中，一些钛迁移至表面。在氮气环境下对该结构进行退火，这在铜填充(20)的表面上产生自对准的TiN阻挡(24)。可以在同一退火工艺中产生空气间隙(26)。该工艺可以被用来形成多层结构。 | ||
| 申请公布号 | CN101573787A | 申请公布日期 | 2009.11.04 |
| 申请号 | CN200780049242.8 | 申请日期 | 2007.12.31 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 罗埃尔·达门;罗伯图斯·A·M·沃尔特斯;马蒂纳斯·P·M·玛斯;帕斯卡尔·班肯;朱利恩·M·M·米舍隆 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈 源;张天舒 |
| 主权项 | 1.一种形成铜互连结构的方法，包括：(a)形成图案限定层(9)；(b)在所述图案限定层(9)中蚀刻出沟槽(12)；(c)在所述沟槽侧壁上沉积阻挡材料(14)；(d)在所述阻挡材料(14)上沉积铜和钛的种子层(16)；(e)沉积铜(18)来填充所述沟槽(12)；(f)执行化学机械抛光步骤；以及(g)在周围为氮气的环境下对所述结构进行退火，使钛在铜的暴露表面上与氮气发生反应，来在铜上形成自对准的TiN阻挡(24)。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||