发明名称 电子器件的制造方法
摘要 本发明揭示一种电子器件的制造方法。在对由载体薄膜支持的陶瓷生片照射激光以形成穿通孔时,所述穿通孔穿通所述陶瓷生片以及所述载体膜本体,同时形成形状为近似圆柱形。采用具有由树脂薄膜构成的载体膜本体12、以及在前述载体膜本体的一主面形成的金属薄膜层11而构成的陶瓷生片用载体膜10,在前述载体膜本体12的另一主面形成陶瓷生片20。
申请公布号 CN100558219C 申请公布日期 2009.11.04
申请号 CN200510052868.7 申请日期 2005.02.24
申请人 株式会社村田制作所 发明人 羽贺大辅;山本高弘;伊藤阳一郎
分类号 H05K3/46(2006.01)I;B28B11/12(2006.01)I;B23K26/00(2006.01)I;H01L23/14(2006.01)I 主分类号 H05K3/46(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 代理人 沈昭坤
主权项 1、一种电子元器件的制造方法,其特征在于,包含以下工序:由树脂薄膜构成的载体膜本体的一主面形成金属薄膜层,所述载体膜本体另一主面形成陶瓷生片的工序,从所述陶瓷生片的与由所述载体膜本体支持的表面的相反侧的表面照射激光并在所述陶瓷生片以及所述载体膜本体上形成穿通孔的工序、对所述穿通孔充填导电性糊浆的工序、以及将所述陶瓷生片层叠的工序。
地址 日本京都府