| 发明名称 | 绝缘膜、半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的制造方法，包括：形成绝缘膜，该绝缘膜包含具有Si-CH<sub>3</sub>和Si-OH键的材料；以及用紫外线照射该绝缘膜，其中：在紫外线照射后，通过X射线电光子分光光谱确定的C浓度降低率不大于30％，并且绝缘膜中从C-H键、O-H键和Si-OH的Si-O键中选出的一个或多个键的减少率不小于10％。本发明提供一种低介电常数绝缘膜，其具有高模强度并可以避免因为吸收湿气而导致的介电常数增大；一种半导体器件，其可以避免因寄生电容增大而造成的器件响应速度的延迟以及可靠性降低；以及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN100557778C | 申请公布日期 | 2009.11.04 |
| 申请号 | CN200710141756.8 | 申请日期 | 2007.08.21 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 尾崎史朗;中田义弘;矢野映 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张龙哺 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，包括：形成绝缘膜，所述绝缘膜包含具有Si-CH3键和Si-OH键的材料；以及用包含不大于320nm波长范围的紫外线照射所述绝缘膜，其中：在进行紫外线照射后，通过X射线电光子分光光谱确定的所述绝缘膜中的C浓度降低率不大于30％，并且所述绝缘膜中从C-H键、O-H键和Si-OH的Si-O键中选出的一个或多个键的减少率不小于10％。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||