| 发明名称 | 一种原位复合Mg-Si-Sn基热电材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种原位复合Mg-Si-Sn基热电材料及其制备方法。该材料的化学组成为Mg<sub>2-y</sub>La<sub>y</sub>Si<sub>0.5+x</sub>Sn<sub>0.5-x</sub>，x＝0～0.08，y＝0～0.1，结构为材料中的富Si晶粒被原位生成的富Sn薄层包覆。采用原位反应得到具有包覆层的复合热电材料，制备方法简单，可控性好。本发明的原位复合Mg-Si-Sn基热电材料具有较好的热电性能。 | ||
| 申请公布号 | CN100557839C | 申请公布日期 | 2009.11.04 |
| 申请号 | CN200810059853.7 | 申请日期 | 2008.02.22 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 赵新兵;张倩;贺健;张胜楠;朱铁军;T·.M·崔特 |
| 分类号 | H01L35/14(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I;C22C1/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L35/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 韩介梅 |
| 主权项 | 1.原位复合Mg-Si-Sn基热电材料的制备方法，其特征在于步骤如下：将原料按化学剂量比Mg2-yLaySi0.5+xSn0.5-x，x＝0～0.08，y＝0～0.1，计算称量后，在Ar气保护下，于1100～1200℃充分熔化，然后迅速移到860～900℃炉子内，再按1℃/分钟的降温速度冷却到780℃，在500～600℃下退火至少100h后，经过机械球磨，在600～700℃，60～80MPa下真空热压1～2h。 | ||
| 地址 | 310027浙江省杭州市浙大路38号 | ||