| 发明名称 | 利用电子回旋共振沉积非晶硅薄膜 | ||
| 摘要 | 描述了一种用于通过从等离子体沉积在衬底上形成非晶硅(aSi:H)薄膜的方法。所述衬底被放置在壳体中，薄膜前驱气体被引入壳体中，并且未反应的和解离的气体被从所述壳体抽取，以在所述壳体中提供低压。将微波能量引入所述壳体内的气体中以便通过分布式电子回转共振(DECR)在其中产生等离子体，并使材料从等离子体沉积在衬底上。所述衬底在沉积期间被保持在200-600摄氏度范围内的温度上，最好225到350摄氏度，并且，处于引起-30到-105V范围内的鞘层电势的电平的偏置电压被施加于所述衬底，最好使用在衬底支架面积的50到250亳瓦/平方厘米的范围内的RF功率源。 | ||
| 申请公布号 | CN101573469A | 申请公布日期 | 2009.11.04 |
| 申请号 | CN200680056279.9 | 申请日期 | 2006.11.14 |
| 申请人 | 陶氏康宁公司;巴黎综合理工大学 | 发明人 | P·罗卡艾卡巴罗卡斯;P·布尔金;D·戴尼卡;T·H·道;P·里姆波尔;P·德斯坎普斯;T·柯弗茵德米伦德尔 |
| 分类号 | C23C16/24(2006.01)I;C23C16/511(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜 娟 |
| 主权项 | 1.一种用于通过从等离子体沉积在衬底上形成非晶硅(aSi:H)薄膜的方法，该方法包括：将衬底放置在壳体中，以某个流速将薄膜前驱气体引入所述壳体中，从所述壳体中抽取未反应的和解离的气体以在所述壳体中提供低压，以及将微波能量引入所述壳体内的气体以便通过分布式电子回转共振(DECR)在其中产生等离子体并使材料从等离子体沉积到衬底上，其中，所述衬底在沉积期间被保持在200-600摄氏度范围内的温度上，并且其中，偏置电压被施加于所述衬底，该偏置电压处于引起-30到-105V范围内的鞘层电势的电平。 | ||
| 地址 | 美国密执安 | ||