| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种即使在后步骤中也可利用视觉识别性高的晶片ID的半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置的制造方法包括：在硅基板(11)上通过激光标识装置打印第一晶片ID(20)的步骤；在上述硅基板上形成第一层间绝缘膜(12)至第三层间绝缘膜(14)的步骤；在上述第一层间绝缘膜至第三层间绝缘膜上形成钝化膜(15)的步骤；以及在上述钝化膜上通过所述激光标识装置以重叠于所述第一晶片ID(20)的方式打印第二晶片ID(2)的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN101572225A | 申请公布日期 | 2009.11.04 |
| 申请号 | CN200910137236.9 | 申请日期 | 2009.04.27 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 林正浩;椎野刚 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余 刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在半导体基板上通过激光标识装置打印第一晶片ID的步骤；在所述半导体基板上形成层间绝缘膜的步骤；在所述层间绝缘膜上形成钝化膜的步骤；以及在所述钝化膜上通过所述激光标识装置以重叠于所述第一晶片ID的方式打印第二晶片ID的步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||