| 发明名称 | 半导体发光装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及“半导体发光装置”，属于半导体光电器件领域。半导体发光装置，包括集光反射杯和覆盖有荧光粉层的半导体发光芯片，其特征在于：集光反射杯与荧光粉层在光出射方向上不接触或接触部分不超过半导体发光芯片的高度，抑制了金属杯表面与荧光粉之间的多重反射，光在金属杯上反射产生的损耗降低，从而使本发明半导体发光装置的光取出效率得到提高。与常规的半导体发光装置的对比实验，证明本发明的光取出效率提高了20％左右。 | ||
| 申请公布号 | CN101572284A | 申请公布日期 | 2009.11.04 |
| 申请号 | CN200810105392.2 | 申请日期 | 2008.04.29 |
| 申请人 | 北京宇极科技发展有限公司 | 发明人 | 王海嵩;熊志军;刘锐;鲍鹏 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张 涛 |
| 主权项 | 1、半导体发光装置，包括集光反射杯和覆盖有荧光粉层的半导体发光芯片，其特征在于：集光反射杯与荧光粉层在光出射方向上不接触或接触部分不超过半导体发光芯片的高度。 | ||
| 地址 | 100081北京市海淀区中关村南大街5号理工科技大厦2111室 | ||