发明名称 |
刻蚀停止层、具有通孔的半导体器件及其形成方法 |
摘要 |
本发明公开了一种刻蚀停止层,包括在衬底上形成的含氮的碳化硅层,以及位于所述碳化硅层之上的氮化硅层。本发明还公开了该刻蚀停止层的相应的形成方法,以及采用了该刻蚀停止层的具有通孔的半导体器件及其形成方法,采用本发明的刻蚀停止层后,可以在低K值的情况下,扩大刻蚀工艺的工艺窗口。 |
申请公布号 |
CN101572252A |
申请公布日期 |
2009.11.04 |
申请号 |
CN200810105311.9 |
申请日期 |
2008.04.28 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
发明人 |
尹晓明;孙武;周鸣 |
分类号 |
H01L23/00(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
董立闽;李 丽 |
主权项 |
1、一种刻蚀停止层,包括在衬底上形成的含氮的碳化硅层,其特征在于:所述刻蚀停止层还包括形成于所述碳化硅层之上的氮化硅层。 |
地址 |
100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 |