| 发明名称 | 激光照射方法以及晶质半导体膜的制作方法 | ||
| 摘要 | 即使适当地对光束点自身的能源分布进行整形以在相同条件下执行激光照射，然而供应给被照射物面中的能源也会产生(激光照射的)不均匀。另外，如果在这种照射能源不均匀的情况下晶化半导体膜以形成晶质半导体膜，就会在该膜内产生结晶性的不均匀，从而使利用该膜制成的半导体元件产生特性的不均匀。在本发明中，当对设置或形成在衬底上的被照射物照射激光束时，将该激光束的脉宽设定为psec(10<sup>-12</sup>sec)左右，或者照射短于此的极短脉冲的激光束。 | ||
| 申请公布号 | CN100557771C | 申请公布日期 | 2009.11.04 |
| 申请号 | CN200410081684.9 | 申请日期 | 2004.12.24 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 田中幸一郎;山本良明 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;G02F1/37(2006.01)I;G02B27/00(2006.01)I;B23K26/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王 勇 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤：在折射率为n且厚度为d的衬底上形成非晶半导体膜；在沿扫描方向扫描衬底时，利用从脉冲激光振荡器发射出的激光束照射所述非晶半导体膜，从而形成沿扫描方向连续生长的晶粒，其中，如将真空中的光速定义为c，则所述激光束的脉宽t满足不等式ct＜2nd。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||