具有缓冲结构的晶片的再循环

摘要

提供一种在移去至少一个有用层之后再循环施主晶片(10)的方法，该施主晶片(10)依次包括衬底(1)、缓冲结构(I)和移去之前的有用层。该方法包括采用机械手段除去发生移去的一侧上的施主晶片(10)的一部分，从而在除去物质之后，保留至少一部分缓冲结构(I)，这部分缓冲结构(I)能在后来的有用层移去期间被再用作至少一部分缓冲结构(I)。本文献还涉及：a)从根据本发明能再循环的施主晶片(10)上除去薄层的方法；b)根据本发明可以再循环的施主晶片(10)。

主权项

1.一种在已经移去至少一个半导体材料的有用层之后再循环施主晶片的方法，该施主晶片依次包括衬底、缓冲结构I和移去之前的有用层，缓冲结构具有与衬底相关的第一晶格参数，以及与有用层相关的第二晶格参数，该方法包括在进行移去的施主晶片的一侧上除去物质，其特征在于除去物质包括采用机械手段，在除去物质之后，保留缓冲结构I的至少一部分，这个至少一部分缓冲结构在后来的新的有用层移去期间能够作为缓冲结构I而被再利用。