| 发明名称 | 多晶硅表面平坦化的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多晶硅表面平坦化的方法，包括以下步骤：1)在硅表面生长硬掩膜，在所生长的硬掩膜表面涂覆光刻胶，进行光刻并显影，显露出需刻蚀的硬掩膜；2)刻蚀掉显露出的硬掩膜，然后去除剩余的光刻胶，对被刻蚀的硬掩膜下方的硅进行刻蚀，刻蚀出沟槽，并去除硅表面剩余的硬掩膜；3)对刻蚀出的沟槽底部进行圆角刻蚀，在刻蚀的沟槽表面生长栅极氧化层，并将沟槽内沉积多晶硅作为栅电极；4)对所沉积的多晶硅进行快速热氧化处理；5)对经过快速热氧化处理后的多晶硅进行回刻蚀。 | ||
| 申请公布号 | CN101572229A | 申请公布日期 | 2009.11.04 |
| 申请号 | CN200810105321.2 | 申请日期 | 2008.04.28 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 王托猛;江瑞星;蔡新春;陈勇 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张颖玲;王黎延 |
| 主权项 | 1、一种多晶硅表面平坦化的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在硅表面生长硬掩膜，在所生长的硬掩膜表面涂覆光刻胶，进行光刻并显影，显露出需刻蚀的硬掩膜；2)刻蚀掉显露出的硬掩膜，然后去除剩余的光刻胶，对被刻蚀的硬掩膜下方的硅进行刻蚀，刻蚀出沟槽，并去除硅表面剩余的硬掩膜；3)对刻蚀出的沟槽底部进行圆角刻蚀，在刻蚀的沟槽表面生长栅极氧化层，并将沟槽内沉积多晶硅作为栅电极；4)对所沉积的多晶硅进行快速热氧化处理；5)对经过快速热氧化处理后的多晶硅进行回刻蚀。 | ||
| 地址 | 100871北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦513 | ||