发明名称 中高功率发光二极管散热结构
摘要 本发明提供了一种中高功率发光二极管散热结构,所述结构包含一发光模块和一散热元件,其中所述发光模块具有一座部,所述座部一端具有至少一发光晶片,而所述散热元件的表面具有镀银材,且其具有一第一部份和一第二部份,所述第一部分套设于所述座部外侧表面,所述第二部份由第一部份对应所述座部一端向外倾斜延伸,当所述发光晶片发出光源并产生高温的热量时,通过所述第二部份的表面将光源折射进而提升亮度,并透过所述第一部份将热量传导至第二部份,以散热元件本体快速散热,提升中高功率LED的散热与发光效率。
申请公布号 CN101571277A 申请公布日期 2009.11.04
申请号 CN200810093490.9 申请日期 2008.04.28
申请人 李彦庆 发明人 李彦庆
分类号 F21V29/00(2006.01)I;H01L23/36(2006.01)I;F21Y101/02(2006.01)N 主分类号 F21V29/00(2006.01)I
代理机构 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 代理人 孙皓晨
主权项 1.一种中高功率发光二极管散热结构,其特征在于,其包括:一发光模块,具有一座部,所述座部一端具有至少一发光晶片;一散热元件,表面具有镀银材料,且具有一第一部分和一第二部份,所述第一部份套设于所述座部外侧表面,所述第二部份由所述第一部分对应所述座部一端处向外倾斜延伸。
地址 台湾省台北市