| 发明名称 | 氮化镓晶体以及其制备方法 | ||
| 摘要 | 提供一种GaN单晶，其直径至少约2.75毫米，位错密度低于约10<sup>4</sup>cm<sup>-1</sup>，并基本不含倾斜晶界。还公开了一种形成GaN单晶的方法，该方法包括在一个腔室中提供成核中心、GaN源材料和GaN溶剂。将该腔室加压。在该腔室中产生第一和第二温度分布，以使在腔室成核区域中的溶剂过饱和。在腔室中的第一和第二温度分布具有不同的温度梯度。 | ||
| 申请公布号 | CN101573479A | 申请公布日期 | 2009.11.04 |
| 申请号 | CN200780039788.5 | 申请日期 | 2007.10.25 |
| 申请人 | 迈图高新材料公司 | 发明人 | 马克·飞利浦·德艾芙琳;东-斯尔·帕克;史蒂芬·弗兰西斯·勒伯夫;拉里·波顿·罗兰;克里斯蒂·简·纳拉恩;慧聪·洪;彼得·麦卡·山特维克 |
| 分类号 | C30B7/10(2006.01)I;C30B9/12(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I | 主分类号 | C30B7/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 1.一种GaN单晶，其具有厚度w和垂直于厚度w的定义晶面的二维x和y，其中该GaN单晶在x维或y维至少之一上至少为约2.75毫米，位错密度低于约104cm-2，并基本不含倾斜晶界，其中该单晶为晶锭。 | ||
| 地址 | 美国康涅狄格 | ||