一种腔室状态监控系统、方法以及半导体处理设备

摘要

本发明公开一种腔室状态监控系统，其包括被测部和激光干涉检测单元，所述激光干涉检测单元向所述被测部发射入射激光，所述入射激光在所述附着物的第一界面发生反射而形成第一反射光，并且在所述附着物的第二界面发生反射而形成第二反射光，所述第一反射光和第二反射光投射到所述激光干涉检测单元并发生干涉，所述激光干涉检测单元根据所述反射光干涉强度周期以及激光的波长而得出与所述附着物有关的腔室状态参数的测量值。本发明还公开一种腔室状态监控方法以及一种导体处理设备。本发明提供的系统、方法和半导体处理设备能够对与腔室表面附着物有关的状态参数(诸如所述附着物的厚度和/或数量等)进行检测/监控，并且检测/监控结果较为准确。

主权项

1.一种腔室状态监控系统，其特征在于包括被测部和激光干涉检测单元，所述被测部上可粘附有附着物；所述激光干涉检测单元设置在腔室壁面上，并且与所述被测部相对；其中所述激光干涉检测单元向所述被测部发射入射激光，所述入射激光在所述附着物的第一界面发生反射而形成第一反射光，并且在所述附着物的第二界面发生反射而形成第二反射光，所述第一反射光和第二反射光投射到所述激光干涉检测单元并发生干涉，所述激光干涉检测单元根据所述反射光干涉强度周期以及所述激光的波长而得出与所述附着物有关的腔室状态参数的测量值。