发明名称 |
X8R型贱金属内电极多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及应用于电子元器件的陶瓷材料技术领域,具体涉及一种X8R型贱金属内电极多层陶瓷电容器介质材料及制备方法。本发明材料为:主成分钛酸钡,其摩尔含量为91%~94%;添加剂包括MgO、MgCO<sub>3</sub>、(MgCO<sub>3</sub>)<sub>4</sub>·Mg(OH)<sub>2</sub>、MnCO<sub>3</sub>、MnO<sub>2</sub>、NiO、Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Co<sub>3</sub>O<sub>4</sub>以及玻璃相助烧剂BCG、展宽剂、R1的氧化物和R2的氧化物,其摩尔含量占材料总量的6~9%;R1和R2均为稀土族元素。利用本发明的配方和工艺,在还原气氛下烧结可以获得性能优良的X8R型陶瓷材料,且工艺简单,烧结温度不超过1280℃。材料的室温介电常数可达2700,室温介电损耗不超过1%,在-55~150℃温度区间内容温变化率不超过±15%,室温电阻率>10<sup>12</sup>Ω·cm,在150℃时电阻率仍大于10<sup>9</sup>Ω·cm,陶瓷的晶粒尺寸小于1μm。本发明提供的陶瓷材料及其制备方法,具有良好的产业化前景。 |
申请公布号 |
CN101570434A |
申请公布日期 |
2009.11.04 |
申请号 |
CN200910086804.7 |
申请日期 |
2009.06.16 |
申请人 |
清华大学;无锡鑫圣慧龙纳米陶瓷技术有限公司 |
发明人 |
王晓慧;姚国峰;金镇龙;李龙土;桂治轮 |
分类号 |
C04B35/468(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I;H01G4/30(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/468(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.X8R型贱金属内电极多层陶瓷电容器介质材料,其特征在于,所述材料以钛酸钡为主成分,其摩尔含量为91%~94%;所用添加剂的摩尔含量占材料总量的6~9%。 |
地址 |
100084北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室 |