| 发明名称 | 用于单衬底或双衬底加工的设备和方法 | ||
| 摘要 | 用于单衬底或双衬底加工的设备和方法。在一种用于对半导体衬底进行处理的方法中，一个或两个衬底被放置在衬底加工室中，并进行湿法蚀刻、清洗、冲洗和/或干燥步骤。在清洗或冲洗过程中，在所述加工室内产生一个兆赫级超声波能量带以产生主动冲洗或清洗区，且在所述室内进行的冲洗或清洗过程中，所述衬底平动通过所述主动区域。 | ||
| 申请公布号 | CN101572220A | 申请公布日期 | 2009.11.04 |
| 申请号 | CN200810213204.8 | 申请日期 | 2002.12.06 |
| 申请人 | SCP环球技术公司 | 发明人 | E·汉森;V·米姆肯;M·布勒克;R·M·亚拉曼基利;J·罗萨托 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;B08B3/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 曹 若 |
| 主权项 | 1、一种用于处理至少一个衬底的设备，其特征在于，包括：一个室，具有一个在所述室的上部中的开口，其中所述开口的大小为容纳所述至少一个衬底，和一个用于比例地容纳所述至少一个衬底的处理区域，其中所述处理区域具有下内部和上内部；引起紊流流动的装置，所述引起紊流流动的装置连接于所述室的下内部区域和上内部区域中的一个或两者；入口和连接到所述室并与所述室的下部流体相通的出口；和一个上溢流堰和定位在所述上溢流堰之下的一个高度的下溢流堰。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||