| 发明名称 | N型轻掺杂区域的形成方法及半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种N型轻掺杂区域的形成方法，包括：提供具有栅极的半导体衬底；以第一能量和第一剂量对所述半导体衬底执行第一次N型轻掺杂工艺；以第二能量和第二剂量对所述半导体衬底执行第二次N型轻掺杂工艺；对完成所有N型轻掺杂工艺的半导体衬底执行退火工艺；其中，第二能量的能量值大于所述第一能量的能量值，第二剂量的剂量值小于第一剂量的剂量值。本发明还提供一种半导体器件的制造方法。本发明能够改善形成MOS器件的短沟道效应，提高抗击穿能力。 | ||
| 申请公布号 | CN101572235A | 申请公布日期 | 2009.11.04 |
| 申请号 | CN200810105624.4 | 申请日期 | 2008.04.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 居建华 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 丽 |
| 主权项 | 1、一种N型轻掺杂区域的形成方法，其特征在于，包括：提供具有栅极的半导体衬底；以第一能量和第一剂量对所述半导体衬底执行第一次N型轻掺杂工艺；以第二能量和第二剂量对所述半导体衬底执行第二次N型轻掺杂工艺；对完成所有N型轻掺杂工艺的半导体衬底执行退火工艺；其中，第二能量的能量值大于所述第一能量的能量值，第二剂量的剂量值小于第一剂量的剂量值。 | ||
| 地址 | 100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 | ||