| 发明名称 | 互补金属氧化物半导体器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种互补金属氧化物半导体器件，包括，半导体衬底，位于半导体衬底内的N阱和P阱，半导体衬底内位于N阱和P阱之间的隔离结构，位于半导体衬底内的N阱上的栅极结构、N阱内位于栅极结构两侧的源极和漏极，所述N阱的深度大于N阱内位于栅极结构两侧的源极和漏极的耗尽层的深度并且小于隔离结构的深度。所述半导体器件的结构可以减小漏电流。本发明还提供了所述互补金属氧化物半导体器件的制作方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101572263A | 申请公布日期 | 2009.11.04 |
| 申请号 | CN200810105625.9 | 申请日期 | 2008.04.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 肖德元 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 丽 |
| 主权项 | 1.一种互补金属氧化物半导体器件，包括，半导体衬底，位于半导体衬底内的N阱和P阱，半导体衬底内位于N阱和P阱之间的隔离结构，位于半导体衬底内的N阱上的栅极结构、N阱内位于栅极结构两侧的源极和漏极，其特征在于，所述N阱的深度大于N阱内位于栅极结构两侧的源极和漏极的耗尽层的深度并且小于隔离结构的深度。 | ||
| 地址 | 100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 | ||