功率开关结构和方法

摘要

在一个实施方案中，功率开关器件(33)包括第一MOSFET器件(41)和第二MOSFET器件(42)。包括第一栅极电极(48、87)的分开栅极结构(84)控制第一MOSFET器件(41)。第二栅极电极(49、92)控制第二MOSFET器件(42)。电流限制器件(38)与第一栅极电极(48、97)相耦连以在电流限制模式过程中开启第一MOSFET器件。比较器件(36)与第二栅极电极(49、92)相耦连以在功率开关器件(33)不在电流限制模式中时开启第二MOSFET器件(42)。

主权项

1.一种半导体开关器件，包括：一半导体材料块，具有相对的第一和第二主表面，其中半导体材料块的一部分形成公共漏极区域；多个源极区域，形成在半导体材料块中，并从第一主表面延伸，其中半导体开关器件被配置为功率MOSFET器件；第一绝缘栅极结构，形成在多个源极区域附近，并被配置为控制电流在多个源极区域的第一部分和公共漏极区域之间流动，其中第一绝缘栅极结构包括耦连到多个第一栅极电极的第一栅极馈电；以及与第一绝缘栅极结构独立的第二绝缘栅极结构，第二绝缘栅极结构形成在多个源极区域附近，并被配置为控制电流在多个源极区域的第二部分和公共漏极区域之间流动，其中第二绝缘栅极结构包括耦连到多个第二栅极电极的第二栅极馈电，并且其中多个第一和第二栅极电极包括交叉结构，使得当仅第一和第二绝缘栅极结构中的一个被偏置以开启半导体开关器件时承载半导体开关器件的负载的电流分布在半导体开关器件上。