| 发明名称 | CoFeB层构成固定层至少一部分的隧道型磁检测元件及其制法 | ||
| 摘要 | 本发明特别涉及由Mg-O形成绝缘障壁层的隧道型磁检测元件，提供可以得到高电阻变化率(ΔR/R)的隧道型磁检测元件及其制造方法。第2固定磁性层(4c)，从下面起，以由CoFeB或FeB形成的第1磁性层(4c1)、以及由CoFe或Fe形成的第2磁性层(4c2)的顺序层叠。所述第2固定磁性层(4c)上，形成有由Mg-O构成的绝缘障壁层(5)。像这样通过使第2固定磁性层(4c)为CoFeB或FeB/CoFe或Fe的层叠构造，可以得到高电阻变化率(ΔR/R)。 | ||
| 申请公布号 | CN100557840C | 申请公布日期 | 2009.11.04 |
| 申请号 | CN200710152772.7 | 申请日期 | 2007.09.20 |
| 申请人 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 发明人 | 五十岚一聪;梅津英治;田中健一;西村和正;斋藤正路;井出洋介;中林亮;西山义弘;小林秀和;长谷川直也 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I;H01F10/32(2006.01)I;H01F10/16(2006.01)I;G11B5/39(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 刘 建 |
| 主权项 | 1.一种隧道型磁检测元件，其从下面起，以磁化被固定的固定磁性层、绝缘障壁层、磁化相对于外部磁场变动的自由磁性层的顺序层叠，或者从下面起，以所述自由磁性层、所述绝缘障壁层、所述固定磁性层的顺序层叠，所述绝缘障壁层由Mg-O形成，构成所述固定磁性层的至少一部分，且与所述绝缘障壁层相接的障壁层侧磁性层由以下构成：由CoFeB或FeB形成的第1磁性区域；位于所述第1磁性区域和所述绝缘障壁层之间的、由CoFe或Fe形成的第2磁性区域。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||