Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithografie sowie Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik

摘要

Eine Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithografie dient zur Führung eines Beleuchtungslicht-Bündels von einer Strahlungsquelle hin zu einem Objektfeld mit einem Ausdehnungsverhätnis zwischen einer größeren Felddimension (x) und einer kleineren Felddimension (y), welches deutlich größer ist als 1. Ein Feldfacettenspiegel (13) hat eine Mehrzahl von Feldfacetten (19) zur Vorgabe definierter Beleuchtungsverhältnisse im Objektfeld. Eine dem Feldfacettenspiegel (13) nachfolgende Folgeoptik dient zur Überführung des Beleuchtungslichts in das Objektfeld (5). Die Folgeoptik hat einen Pupillenfacettenspiegel (14) mit einer Mehrzahl von Pupillenfacetten (27). Die Feldfacetten (19) sind den Pupillenfacetten (27) jeweils individuell zugeordnet, so dass Anteile des Beleuchtungslicht-Bündels (10), die auf jeweils eine der Feldfacetten (19) treffen, über die zugeordnete Pupillenfacette (27) weiter zum Objektfeld (5) geführt werden. Der Feldfacettenspiegel (13) hat neben einer Mehrzahl von Grundbeleuchtungs-Feldfacetten (19G), die über zugeordnete Grundbeleuchtungs-Pupillenfacetten (27G) eine Grundbeleuchtung des Objektfelds (5) bereitstellen, eine Mehrzahl von Korrekturbeleuchtungs-Feldfacetten (19K), die über zugeordnete Korrekturbeleuchtungs-Pupillenfacetten (27G) eine Korrekturbeleuchtung des Objektfelds (5) bereitstellen. Es resultiert eine Beleuchtungsoptik, bei der eine Korrektur von unerwünschten Variationen von Beleuchtungsparametern, beispielsweise einer ...