发明名称 |
用于集成电路微调的熔丝电路及具有熔丝电路的设备 |
摘要 |
本发明提供了一种介质层中用于集成电路微调的熔丝电路及具有熔丝电路的设备。该熔丝电路有一个第一导电层、一个第二导电层、一个第三导电层和一个第四导电层。第一导电层和第二导电层之间连接了一个第一金属插塞。第一导电层和第三导电层之间连接了至少一个金属插塞。这样,通过第一金属插塞、第一导电层和至少一个金属插塞在第二导电层和第三导电层之间形成一个导通路径。通过对第一金属插塞供给电流可切断该导通路径。第二金属插塞连接于第二导电层和第四导电层之间,其中通过所述第二金属插塞和所述第一导通路径在所述第四导电层和所述第三导电层之间形成第二导通路径。 |
申请公布号 |
CN100557796C |
申请公布日期 |
2009.11.04 |
申请号 |
CN200710097215.X |
申请日期 |
2007.04.27 |
申请人 |
美国凹凸微系有限公司 |
发明人 |
林超 |
分类号 |
H01L23/525(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/525(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 |
代理人 |
陈 源;张天舒 |
主权项 |
1.一种介质层中的用于集成电路(IC)微调的熔丝电路,其包括:一个第一导电层;一个第二导电层;一个第三导电层;一个第四导电层;一个第一金属插塞,其连接在所述第一导电层和第二导电层之间;至少一个金属插塞,其连接在所述第一导电层和第三导电层之间,其中通过所述第一金属插塞、所述第一导电层、和所述至少一个金属插塞在所述第二导电层和所述第三导电层之间形成第一导通路径,并且通过把预定电流提供给所述第一导通路径来损毁所述第一金属插塞以切断所述第一导通路径;和一个第二金属插塞,其连接于所述第二导电层和所述第四导电层之间,其中通过所述第二金属插塞和所述第一导通路径在所述第四导电层和所述第三导电层之间形成第二导通路径。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |