发明名称 |
具有轨到轨电压线性调节范围及带宽拓展能力的延迟单元电路 |
摘要 |
本发明公开了一种应用于高速压控振荡器(VCO)的具有轨到轨电压线性调节范围及带宽拓展能力的延迟单元电路。本延迟单元通过对PMOS和NMOS管同时控制,实现了控制电压在轨到轨电压范围内都可以对VCO的频率进行线性调节,从而增加了压控振荡器(VCO)的线性调节范围,同时提高了VCO的可靠性,不需要启动电路。通过采用单元内的正反馈和压控振荡器(VCO)环内加速技术,提高了压控振荡器(VCO)的频率,同时也增加了压控振荡器(VCO)的频率范围。 |
申请公布号 |
CN101572548A |
申请公布日期 |
2009.11.04 |
申请号 |
CN200910043646.7 |
申请日期 |
2009.06.09 |
申请人 |
中国人民解放军国防科学技术大学 |
发明人 |
李少青;蒋仁杰;陈怒兴;赵振宇;马卓;郭阳;张民选;陈吉华;徐炜遐;黄冲;郭斌;白创;刘梅 |
分类号 |
H03L7/099(2006.01)I;H03K5/13(2006.01)I |
主分类号 |
H03L7/099(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1、一种应用于高速压控振荡器(VCO)的具有轨到轨电压线性调节范围及带宽拓展能力的延迟单元电路,其特征在于:它包括第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)、第三NMOS管(M3)、第四NMOS管(M4)、第五NMOS管(M11)、第六NMOS管(M12)、第一PMOS管(M5)、第二PMOS管(M6)、第三PMOS管(M7)、第四PMOS管(M8)、第五PMOS管(M9)和第六PMOS管(M10),其中第一NMOS管(M1)和第二NMOS管(M2)组成差分对管,其栅极分别接差分输入(In1+)和(In1-),第三NMOS管(M3)和第四NMOS管(M4)与第一PMOS管(M5)和第二PMOS管(M6)组合形成正反馈形式的交叉耦合对,第三NMOS管(M3)和第四NMOS管(M4)的源极分别接差分输出(Out-)和(Out+),栅极都接控制电压(Vcont),第一PMOS管(M5)的源极接电源,栅极与第四NMOS管(M4)的漏极相连,第二PMOS管(M6)的源极接电源,栅极与第三NMOS管(M3)的漏极相连,第三PMOS管(M7)和第四PMOS管(M8)分别接在差分输出节点(Out-)、(Out+)和电源电压之间,电压(Vcont)连接第三PMOS管(M7)和第四PMOS管(M8)的栅极,第五PMOS管(M9)和第六PMOS管(M10)是加速管,它们分别对(Out-)和(Out+)进行预充电,加速(Out-)和(Out+)到达电源电压,第五NMOS管(M11)和第六NMOS管(M12)是加速管,它们分别对(Out-)和(Out+)进行预放电,加速(Out-)和(Out+)到达地电位。 |
地址 |
410073湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号 |