发明名称 |
染料敏化太阳能电池用半导体电极及其制备方法和电池 |
摘要 |
本发明提供了一种染料敏化太阳能电池用半导体电极及其制备方法以及由该半导体电极制备的染料敏化太阳能电池。本发明提供的染料敏化太阳能电池用半导体电极包括导电底层、半导体纳米晶膜和该半导体纳米晶膜上的染料层,其中,所述半导体电极还包括与导电底层和半导体纳米晶膜接触且20℃时的电阻率比导电底层的电阻率小的导电层,导电层的面积小于导电底层的面积。与现有的染料敏化太阳能电池相比,本发明提供的染料敏化太阳能电池用半导体电极制成的染料敏化太阳能电池的光电转换率有显著提高。 |
申请公布号 |
CN101572189A |
申请公布日期 |
2009.11.04 |
申请号 |
CN200810093481.X |
申请日期 |
2008.04.28 |
申请人 |
比亚迪股份有限公司 |
发明人 |
刘倩倩;陈炎 |
分类号 |
H01G9/04(2006.01)I;H01G9/20(2006.01)I;H01M14/00(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I;H01L51/42(2006.01)I |
主分类号 |
H01G9/04(2006.01)I |
代理机构 |
北京润平知识产权代理有限公司 |
代理人 |
陈小莲;王凤桐 |
主权项 |
1、一种染料敏化太阳能电池用半导体电极,该半导体电极包括导电底层、半导体纳米晶膜和该半导体纳米晶膜上的染料层,其特征在于,所述半导体电极还包括与导电底层和半导体纳米晶膜接触且20℃时的电阻率比导电底层的电阻率小的导电层,导电层的面积小于导电底层的面积。 |
地址 |
518118广东省深圳龙岗区坪山镇横坪公路3001号 |