| 发明名称 | 一种双重曝光方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种双重曝光方法，包括：第一次光刻步骤与第二次光刻步骤，在所述第一次与第二次光刻步骤之间，在所述第一次光刻步骤形成的光刻胶图形上旋涂化学收缩辅助解析增强材料，并使其与所述光刻胶图形接触处发生热交联反应；之后去除没有与所述光刻胶图形发生热交联反应的化学收缩辅助解析增强材料。该方法既实现更小图形分辨率，也避免了双重曝光工艺中第二次曝光对第一次曝光形成的图形产生的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN101571674A | 申请公布日期 | 2009.11.04 |
| 申请号 | CN200910052798.3 | 申请日期 | 2009.06.09 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 胡红梅;朱骏 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G03F7/26(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人 | 郑 玮 |
| 主权项 | 1.一种双重曝光工艺，包括：第一次光刻步骤与第二次光刻步骤，其特征在于，在所述第一次与第二次光刻步骤之间，在所述第一次光刻步骤形成的光刻胶图形上旋涂化学收缩辅助解析增强材料，并使其与所述光刻胶图形接触处发生热交联反应；之后去除没有与所述光刻胶图形发生热交联反应的化学收缩辅助解析增强材料。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江高科技园区碧波路177号华虹科技园4楼B区 | ||