| 发明名称 | 输出功率检测电路 | ||
| 摘要 | 一种用于检测功率放大器的输出功率的检测电路，该检测电流包括：第一电流镜晶体管(T11)，具有基极和集电极，该第一电流镜晶体管的基极可连接到功率晶体管(T10)；RF检测装置(RF-det)，用于检测流过该电流镜晶体管(T11)的RF电流。所述RF检测装置(RF-det)连接到所述第一电流镜晶体管(T11)的该集电极。所述检测电路还包括偏压装置(bias-RF-det)，用于向所述RF检测装置(RF-det)施加偏压，其中，所述偏压装置连接到所述第一电流镜晶体管(T11)的所述集电极和所述RF检测装置(RF-det)。 | ||
| 申请公布号 | CN100557949C | 申请公布日期 | 2009.11.04 |
| 申请号 | CN200480016910.3 | 申请日期 | 2004.06.15 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 德米特里·P·普里霍季科;阿德里安努斯·范贝佐吉恩;克里斯托夫·尚洛;约翰·J·胡克;罗纳德·科斯特 |
| 分类号 | H03F1/30(2006.01)I;H03F3/21(2006.01)I;H03F3/343(2006.01)I;H03F1/02(2006.01)I | 主分类号 | H03F1/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈 源;张天舒 |
| 主权项 | 1、一种用于检测功率放大器的输出功率的检测电路，包括：-第一电流镜晶体管(T11)，其具有基极和集电极，该第一电流镜晶体管的基极可连接到功率晶体管(T10)的基极；-RF检测装置(RF-det)，用于检测流过所述电流镜晶体管(T11)的RF电流，其中，所述RF检测装置(RF-det)连接到所述第一电流镜晶体管(T11)的集电极；-偏压装置(bias-RF-det)，用于向所述RF检测装置(RF-det)施加偏压，其中，所述偏压装置连接到所述第一电流镜晶体管(T11)的所述集电极和所述RF检测装置(RF-det)-具有基极和集电极的第二电流镜晶体管(T12)，其基极可连接到功率晶体管(T10)的基极，以及-DC检测器(DC-det)，用于检测流过所述第二电流镜晶体管(T12)的电流的DC分量，其中，所述DC检测器(DC-det)连接到所述第二电流镜晶体管(T12)的所述集电极。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||