| 发明名称 | 具有较低烧结温度的微波介质陶瓷及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有较低烧结温度的微波介质陶瓷，其组分为(Mg<sub>1-x</sub>Sn<sub>x</sub>)TiO<sub>3</sub>，其中x＝0.03-0.08，其原料摩尔百分比含量为TiO<sub>2</sub> 50％、MgO 40-50％、SnO<sub>2</sub> 0-10％。采用固相合成工艺，制备步骤为：(1)配料；(2)于1100℃煅烧，合成前驱体、球磨、烘干；(3)制坯、于1150-1250℃烧结。本发明通过Sn<sup>2+</sup>离子部分取代Mg<sup>2+</sup>离子，改善了MgTiO<sub>3</sub>基陶瓷的微波介电性能，降低了该体系的烧结温度(1150-1250℃)，实现了在较低温度下的致密烧结，制备工艺简单、制备过程无污染。 | ||
| 申请公布号 | CN101570433A | 申请公布日期 | 2009.11.04 |
| 申请号 | CN200910068568.6 | 申请日期 | 2009.04.22 |
| 申请人 | 天津大学 | 发明人 | 李玲霞;李国超;张平;王洪茹;崔晨 |
| 分类号 | C04B35/462(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;H01B3/12(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/462(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人 | 曹玉平 |
| 主权项 | 1.一种具有较低烧结温度的微波介质陶瓷，其组分为(Mg1-xSnx)TiO3，其中x＝0.03-0.1，其原料摩尔百分比含量为TiO250％、MgO 45-48.5％、SnO21.5-5％。 | ||
| 地址 | 300072天津市南开区卫津路92号 | ||