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发明名称 Redundancy memory cell access circuit, semiconductor memory device comprising the same and test method of semiconductor memory device
摘要
申请公布号 KR100924579(B1) 申请公布日期 2009.11.02
申请号 KR20070061219 申请日期 2007.06.21
申请人 发明人
分类号 G11C29/00 主分类号 G11C29/00
代理机构 代理人
主权项
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