堆叠式源／汲极与薄通道之复晶矽薄膜电晶体之制作方法

摘要

本发明提供堆叠式源/汲极复晶矽薄膜电晶体结构之制造方法，其简化了知制作堆叠式源/汲极复晶矽薄膜电晶体结构之光罩数量且可有效降低汲极附近的高电场并具有降低漏电电流的功效。本发明步骤包括：(1)将非晶矽层再结晶为复晶矽层(02)之步骤；先于基板上沈积一非晶矽层，再进行一般曝光微影以及利用RIE蚀刻技术以定义出具有高区间与低区间之非晶矽岛状物，其中蚀刻后之非晶矽薄通道区剩余厚度约5－200nm，然后再进行退火以使该非晶矽层再结晶为复晶矽层(02)；(2)定义闸极区(05)、源/汲极区(07)与通道区之步骤；(3)布植步骤；以及(4)接线步骤。

主权项

一种复晶矽薄膜电晶体结构之制作方法，该结构具有堆叠式源/汲极与薄通道，其步骤包括：(1)将非晶矽层再结晶为复晶矽层之步骤；先于基板上沈积一非晶矽层，再进行一般曝光微影以及利用蚀刻技术以定义出具有高区间与低区间之非晶矽岛状物，然后进行退火，以使该非晶矽层再结晶为复晶矽层(02)；(2)定义闸极区、源/汲极区与通道区之步骤；分别堆叠闸氧化层(04)与复晶矽闸极薄膜，然后进行一般曝光微影以及蚀刻而定义出该闸极区(05)、源/汲极区(07)与通道区；(3)布植步骤；以离子布植技术形成重掺杂之闸极区(05)、源/汲极区(07)，并进行离子活化；以及(4)接线步骤，沈积SiO2保护层与开接触窗(14)，并进行导线(10)的连线。