发明名称 | 具双闸极有机薄膜电晶体之电路结构及其应用 | ||
摘要 | 本发明提供一种具双闸极有机薄膜电晶体之电路结构及其应用。本发明系覆盖一保护层于一具底闸极的有机薄膜电晶体结构上,以做为另一闸极绝缘层,再局部形成一金属层于该保护层上,以做为另一闸极,进而完成一双闸极结构,并将其应用于电子电路设计上。藉本发明双闸极结构,可调整闸极对应之有机薄膜电晶体的启始电压,并利于改变该有机薄膜电晶体的特性,以提高讯号传递的正确性。 | ||
申请公布号 | TWI316760 | 申请公布日期 | 2009.11.01 |
申请号 | TW095115690 | 申请日期 | 2006.05.03 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 王右武;王怡凯;贡振邦;萧智文 |
分类号 | H01L29/786 | 主分类号 | H01L29/786 |
代理机构 | 代理人 | 郭雨岚;林发立 | |
主权项 | 一种具双闸极有机薄膜电晶体之电路结构,其包括:一薄膜电晶体元件,系具有一闸极端、一第一源极端、一第一汲极端及一第一N通道区,该闸极端系耦合至一输入端及该第一汲极端系耦合至一输出端;及一双闸极薄膜电晶体元件,系具有一第一闸极端、一第二源极端、一第二汲极端、一第二N通道区及一第二闸极端,其中该第一闸极端与该第二闸极端共用该第二源极端、该第二汲极端及该第二N通道区,该第一闸极端系耦合至该第二汲极端,该第二闸极端系耦合至一可调偏压,及该第二源极端系耦合至该输出端。 | ||
地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |