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发明名称
III族氮化物半导体发光元件
摘要
本发明,系以提高III族氮化物半导体发光元件之光取出效率为目的。本发明之III族氮化物半导体发光元件,系一种III族氮化物半导体发光元件,系包含基板,和含有层积于基板上之发光层的III族氮化物半导体层;其特征系该III族氮化物半导体层之侧面,对基板主要面之法线倾斜。
申请公布号
TWI316772
申请公布日期
2009.11.01
申请号
TW095134633
申请日期
2006.09.19
申请人
昭和电工股份有限公司
发明人
织地学;龟井宏二;三木久幸;松濑朗浩
分类号
H01L33/00
主分类号
H01L33/00
代理机构
代理人
林志刚
主权项
一种III族氮化物半导体发光元件,系包含基板,和含有层积于基板上之发光层的III族氮化物半导体层,其特征系该III族氮化物半导体层之侧面,对基板主要面之法线倾斜,在于未形成发光元件表面之电极之范围的III族氮化物半导体层,形成到达基板之沟,而该沟之侧面之法线,乃对于基板主面之法线而言,具有不垂直之形状者。
地址
日本
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