发明名称 | 相转换记忆体的垂直侧壁有效接脚结构及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种可程式化电阻记忆体,例如一相转换记忆体,其包含具有细长侧壁之有效接脚的记忆构件。侧壁有效接脚包含一可程式化电阻材质,例如一相转换材质。在本发明之一目的中,描述形成一记忆胞的方法,其包含形成一堆叠,此堆叠包含一第一电极、一绝缘层以及一第二电极。此第一电极具有一主表面,而此主表面具有一周缘;此绝缘层覆盖第一电极之主表面的一部份;此第二电极系与第一电极垂直分离以及覆盖绝缘层。位于绝缘层及第二电极的侧壁,系设置于第一电极的主表面,并与第一电极之主表面有一横向偏移。 | ||
申请公布号 | TWI316752 | 申请公布日期 | 2009.11.01 |
申请号 | TW095148643 | 申请日期 | 2006.12.22 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 龙翔澜 |
分类号 | H01L27/115;H01L21/8247 | 主分类号 | H01L27/115 |
代理机构 | 代理人 | 李贵敏 | |
主权项 | 一种记忆元件,包含:具有一主表面之一第一电极,该主表面具有一周缘;一第二电极,系与该第一电极垂直分离,并且具有一侧壁,该第二电极之该侧壁之至少一部份系位于该主表面上,而与该第一电极之该周缘有一横向偏移;一绝缘构件,系配置于该第一及第二电极之间,该绝缘构件覆盖该第一电极之该主表面之至少一部份,该绝缘构件具有一侧壁,该绝缘构件之该侧壁系位于该主表面上,而与该第一电极之该周缘具有一横向偏移;以及一记忆构件,包含一可程式化电阻材质,该记忆构件具有一侧壁部分,系沿着该绝缘构件之该侧壁延伸,并接触该第二电极之该侧壁,该记忆构件之该侧壁部份具有一底表面,该底表面系与该第一电极之该主表面接触。 | ||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |