| 摘要 |
L'invention concerne un capteur d'image formé dans un empilement semiconducteur d'une région inférieure d'un premier type de conductivité (27) et d'une région supérieure d'un second type de conductivité (25), comprenant : une photodiode constituée d'une première portion dudit empilement ; une zone de lecture constituée d'une deuxième portion dudit empilement ; une tranchée à parois isolées (31, 45) remplie d'un matériau conducteur (35), la tranchée entourant la photodiode et la zone de lecture et étant interrompue, sur toute sa hauteur, sur une partie en regard de la photodiode et de la zone de lecture ; et un premier moyen de connexion associé au matériau conducteur de la tranchée et adapté à être connecté à une tension de polarisation de référence. |
