发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors mit dotierter extrinsischer Basis
摘要
申请公布号 DE102004055147(B4) 申请公布日期 2009.10.29
申请号 DE200410055147 申请日期 2004.11.16
申请人 AUSTRIAMICROSYSTEMS AG 发明人 KRAFT, JOCHEN;SCHREMS, MARTIN
分类号 H01L21/331 主分类号 H01L21/331
代理机构 代理人
主权项
地址