发明名称 Integrierte MEMS-Vorrichtung und Steuerschaltung
摘要 Eine integrierte Schaltung umfasst ein Silizium-auf-Isolator-Substrat (SOI-Substrat), das eine vergrabene Oxidschicht umfasst, die zwischen einer Oberseitensiliziumschicht und einer Unterseitensiliziumschicht positioniert ist. Eine Mikroelektromechanisches-System-Vorrichtung (MEMS-Vorrichtung) ist in die Oberseitensiliziumschicht integriert. Eine Halbleiterschicht ist über der Unterseitensiliziumschicht gebildet. Eine Steuerschaltung ist in die Halbleiterschicht integriert und ist konfiguriert, um die MEMS-Vorrichtung zu steuern.
申请公布号 DE102009017328(A1) 申请公布日期 2009.10.29
申请号 DE200910017328 申请日期 2009.04.14
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 RABERG, WOLFGANG;WINKLER, BERNHARD
分类号 B81B7/02;B81C1/00;H01L21/84 主分类号 B81B7/02
代理机构 代理人
主权项
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