| 发明名称 |
Vertikaler Leistungs-MOSFET mit Graben-Gate, Streifengeometrie und hoher Zelldichte |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69941415(D1) |
申请公布日期 |
2009.10.29 |
| 申请号 |
DE19996041415 |
申请日期 |
1999.05.27 |
| 申请人 |
SILICONIX INC. |
发明人 |
WILLIAMS, RICHARD K.;GRABOWSKI, WAYNE B. |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/336;H01L27/02;H01L27/07;H01L29/06;H01L29/10 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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