发明名称 NANDFLASH坏块的检测及其烧写装置
摘要 本实用新型公开了一种NANDFLASH坏块的检测及其烧写装置,属于烧写技术领域,其结构包括CPU、SDRAM、LED显示和NOR FLASH,SDRAM、LED显示和NOR FLASH均接在CPU上,CPU接NANDFLASH座。本实用新型的NANDFLASH坏块的检测及其烧写装置,NANDFLASH部分用NANDFLASH座代替,焊接时只焊接座,而将需要检测或者烧写的NANDFLASH直接放到座上,检测及其烧写程序烧写在NORFLASH中;具有设计合理、结构简单、易于加工、使用方便等特点。
申请公布号 CN201336154Y 申请公布日期 2009.10.28
申请号 CN200920019142.7 申请日期 2009.02.10
申请人 浪潮电子信息产业股份有限公司 发明人 李伟
分类号 G11C16/06(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I;G11C29/00(2006.01)I 主分类号 G11C16/06(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 1、NANDFLASH坏块的检测及其烧写装置,包括CPU、SDRAM、LED显示和NORFLASH,其特征在于SDRAM、LED显示和NOR FLASH均接在CPU上,CPU接NANDFLASH座。
地址 250014山东省济南市山大路224号