发明名称 |
NANDFLASH坏块的检测及其烧写装置 |
摘要 |
本实用新型公开了一种NANDFLASH坏块的检测及其烧写装置,属于烧写技术领域,其结构包括CPU、SDRAM、LED显示和NOR FLASH,SDRAM、LED显示和NOR FLASH均接在CPU上,CPU接NANDFLASH座。本实用新型的NANDFLASH坏块的检测及其烧写装置,NANDFLASH部分用NANDFLASH座代替,焊接时只焊接座,而将需要检测或者烧写的NANDFLASH直接放到座上,检测及其烧写程序烧写在NORFLASH中;具有设计合理、结构简单、易于加工、使用方便等特点。 |
申请公布号 |
CN201336154Y |
申请公布日期 |
2009.10.28 |
申请号 |
CN200920019142.7 |
申请日期 |
2009.02.10 |
申请人 |
浪潮电子信息产业股份有限公司 |
发明人 |
李伟 |
分类号 |
G11C16/06(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I;G11C29/00(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/06(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1、NANDFLASH坏块的检测及其烧写装置,包括CPU、SDRAM、LED显示和NORFLASH,其特征在于SDRAM、LED显示和NOR FLASH均接在CPU上,CPU接NANDFLASH座。 |
地址 |
250014山东省济南市山大路224号 |