发明名称 |
TFT阵列衬底及其制造方法、以及使用该衬底的显示装置 |
摘要 |
提供一种显示质量优良、生产率较高的显示装置。本发明的TFT阵列衬底在衬底(110)上具有栅电极(1)、栅极绝缘膜(3)、半导体层(23)和由透明导电膜(11)构成的源电极(11b)和漏电极(11c)、从漏电极(11c)延伸设置的像素电极(11a)。并且,在透明导电膜(11)上,形成具有到达源电极(11b)的源电极接触孔(27)的层间绝缘膜(8)和源极布线(22)。还具有通过源电极接触孔(27)与源电极(11b)连接的源极布线(22)。 |
申请公布号 |
CN100555641C |
申请公布日期 |
2009.10.28 |
申请号 |
CN200710137041.5 |
申请日期 |
2007.07.19 |
申请人 |
三菱电机株式会社 |
发明人 |
长山显祐;石贺展昭 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
王 岳;刘宗杰 |
主权项 |
1.一种TFT阵列衬底,具有:设置在衬底上的栅电极;形成在所述栅电极上的栅极绝缘膜;半导体层,形成在所述栅极绝缘膜上,配置在所述栅电极的对面;由形成在所述半导体层上的透明导电膜构成的源电极以及漏电极;像素电极,从所述漏电极延伸设置,由所述透明导电膜构成;层间绝缘膜,形成在所述像素电极、所述源电极以及所述漏电极上,具有到达所述源电极的接触孔;源极布线,形成在所述层间绝缘膜上,并且,通过所述接触孔与所述源电极连接。 |
地址 |
日本东京都 |