提高掺氧硅基氮化物薄膜电致发光器件发光效率的方法

摘要

提高掺氧硅基氮化物薄膜电致发光器件发光效率的方法，其步骤是1)在室温下生长富硅非晶氮化硅(a-SiNx)薄膜：利用等离子体增强化学汽相淀积方法，在室温下，采用硅烷(SiH₄)和氨气(NH₃)作为反应气源，在ITO玻璃衬底上淀积a-SiNx薄膜，SiH₄与NH₃的流量比控制在0.5-1之间，薄膜厚度60-100nm；2)氧等离子体源氧化以形成富硅的掺氧非晶氮化硅(a-SiNx)薄膜：在衬底温度为95-105℃的条件下，利用PECVD技术，用氧等离子体源氧化室温生长的a-SiNx薄膜，氧等离子体处理时间：10-30min；形成富硅的掺氧a-SiNx薄膜，以这层薄膜作为器件的有源层。

主权项

1、提高掺氧硅基氮化物薄膜电致发光器件发光效率的方法，其特征是1)在室温下生长富硅非晶氮化硅a-SiNx薄膜：利用等离子体增强化学汽相淀积方法，在室温下采用硅烷SiH4和氨气NH3作为反应气源，在ITO玻璃衬底上淀积a-SiNx薄膜，SiH4与NH3的流量比控制在0.5-1之间，薄膜厚度80nm；功率源频率：13.56MHz功率密度：0.6W/cm2反应腔压力：80Pa衬底温度：25℃SiH4流量为8sccm，NH3流量为8sccm，淀积时间为130s，2)氧等离子体源氧化以形成富硅的掺氧非晶氮化硅a-SiNx薄膜：在衬底温度为95-105℃的条件下，利用PECVD技术，用氧等离子体源氧化，且在室温生长的a-SiNx薄膜，氧等离子体处理时间：10-30min；富硅的a-SiNx薄膜的具体条件：功率源频率：13.56MHz功率密度：0.6W/cm2反应腔压力：40Pa衬底温度：100℃O2流量：27sccm氧等离子体处理时间：20min；形成富硅的掺氧a-SiNx薄膜，以这层薄膜作为器件的发光器件有源层；所述发光器件的电极制备方法：以ITO为阳极的硅基发光器件，直接在有源层上蒸镀一层1μm厚的金属铝薄膜作为阴极，蒸发电流3.5A，蒸发时间25s，以ITO为阳极的一端为光出射端。